從2008年開始,研究者發現固液界面雙電層 (EDL)效應能夠有效誘導與調制1014 – 1015 cm-2 范圍內的高載流子濃度,使得材料內電子、磁、光學和拓撲相變的操縱變得可行。研究結果表明EDL門控技術不僅可以塑造和設計可重構量子材料的特性,超越傳統半導體器件的能力,而且還可以模仿人類大腦中突觸開關的超低功耗器件概念。
令人振奮的是,EDL門控技術已經成為功能材料物性調控和器件物理研究的重要手段,誘導材料新奇物理特性和新的亞穩相,為引人入勝的EDL門控領域同時增加了復雜性和潛力。雖然潛在的應用是誘人的,但理解EDL門控過程的機制仍然需要進一步的探索。最初認為的純靜電場效應導致載流子注入的假設過于簡單化,隨后的研究已經明確EDL門控過程中由電化學相互作用驅動的離子運動具有普遍性和幾乎不可避免性,尤其在驅動電壓超過電解質擊穿閾值時。
傳統電解質門控EDL效應將離子的輸運與載流子的生成結合起來,但僅在相對較高電壓下才能實現對器件溝道材料物性的有效調控,而這必然引起溝道材料晶體或化學結構中不可預見的缺陷,從而導致器件性能的不可靠性。因此,一方面為實現小型化器件低功耗調控,另一方面為排除電化學反應在EDL門控過程中的影響研究其調控機制,開發低電壓(特別是亞伏特區間)EDL門控電解質對于該領域研究具有重要的實際與理論意義。